真空滅弧室是真空斷路器的關鍵部件，可以說是真空滅弧室的不斷發(fā)展，才提高了真空斷路器的技術水平。從真空滅弧室在我國發(fā)展以來，總共有五個版本。

　　第一代、CuBi系合金觸頭，φ145 mm玻璃外殼，阿基米德螺旋槽橫磁電極結構，額定電壓12 kV，額定電流1 250 A，額定短路開斷電流20 kA。

　　第二代、引進西門子的3AF系列真空滅弧室。CuCr50合金杯狀觸頭，陶瓷外殼，杯狀橫磁電極結構，額定電流2 500～3 150 A，額定短路開斷電流31.5～40 kA。

　　第三代、自行開發(fā)的真空滅弧室。CuCr50觸頭材料，屏蔽罩內置，φ88～125 mm陶瓷絕緣外殼，杯狀縱磁電極結構。額定電流3 150 A，額定短路開斷電流40 kA。

　　第四代、真空滅弧室。以一次封排技術為代表，整體質量有了很大提高，開發(fā)出12 kV、24 kV和40.5 kV各種真空滅弧室。真空滅弧室工藝從排氣臺式工藝發(fā)展到一次封排工藝以至完全一次封排工藝，工藝過程變得簡單，不僅提高了數量而且提高了質量。

　　第五代、固封極柱真空滅弧室。將真空滅弧室通過自動壓力凝膠工藝包封在環(huán)氧樹脂殼體內，形成固封極柱，避免了外力和外界環(huán)境對真空滅弧室及其他導電件的影響，增強了外絕緣強度，大大減少了裝配工作量，并使之真空斷路器小型化。真空滅弧室的外絕緣經歷了空氣絕緣→復合絕緣→固封絕緣。

　　由以上可見，真空滅弧室技術的進步反映在觸頭的材質上、縱橫磁場的形成上、制造工藝的改進上以及外絕緣的改變上。